Trabajo práctico de simulación de dispositivos basados en semiconductores a través de LTSpice, realizdo con el objetivo de constrastar con resultados teóricos y datasheets de fabricantes.
- Diodo, 1N4148
- NPN BJT, BC547
- N-Channel JFET: MPF102
- N-Channel Enhancement MOSFET: NDS7002
- N-Channel Depletion MOSFET: LND250
Integrantes:
- ALVAREZ, Matías Ezequiel
- HEIR, Alejandro Nahuel
23.09 - Física Electrónica ~ Ingeniería Electrónica ~ Instituto Tecnológico Buenos Aires ~ 2022